Samsung ha presentado la primera solución DRAM DDR5 de 32 Gb del mundo, que utiliza tecnología de proceso de 12 nm para admitir módulos de memoria de hasta 128 GB.
Basado en un proceso de 12 nm, Samsung permite tener módulos de memoria DDR5 de hasta 128 GB con DRAM de 32 Gb
Los fabricantes de memoria como SK Hynix y Micron han ofrecido hasta ahora una DRAM DDR5 de hasta 24 Gb, lo que permite un máximo de 96 GB de memoria, pero Samsung va un paso más allá y ofrece una solución de 32 Gb que es un 33,3% más densa en comparación con el nodo de 12 nm. Mientras tanto, Micron también ha confirmado 32 Gb de DRAM DDR5, aunque solo hasta ahora lo ha anunciado en su hoja de ruta.
Comunicado de prensa: Samsung Electronics, líder del mercado en tecnología de memoria avanzada, ha anunciado hoy que ha creado la primera memoria DRAM DDR5 de 32 gigabits (GB) y de mayor capacidad utilizando tecnología de proceso de 12 nanómetros (nm). Este logro se produce tras el lanzamiento por parte de Samsung de su DRAM DDR5 de 16 Gb de 12 nm, cuya producción en masa tuvo lugar en mayo de 2023. Marca el comienzo del siguiente capítulo de memoria de alta capacidad y consolida el liderazgo de Samsung en la tecnología DRAM de próxima generación.
“With our 12nm-class 32Gb DRAM, we have secured a solution that will enable DRAM modules of up to 1-terabyte (TB), allowing us to be ideally positioned to serve the growing need for high-capacity DRAM in the era of AI (Artificial Intelligence) and big data,” said SangJoon Hwang, Executive Vice President of DRAM Product & Technology at Samsung Electronics. “We will continue to develop DRAM solutions through differentiated process and design technologies to break the boundaries of memory technology.”
La capacidad de DRAM se ha incrementado en 500, 000 veces desde 1983.
Samsung creó su primera DRAM de 64 bits (Kb) en 1983 y, en los últimos 40 años, ha podido aumentar esa capacidad en un factor de 500, 000.
El producto de memoria más reciente de Samsung cuenta con la mayor capacidad de la industria para un solo chip DRAM y ofrece el doble de memoria en el mismo tamaño de paquete que la memoria DDR5 de 16 GB. Se creó utilizando procesos y tecnologías de vanguardia para aumentar la densidad de integración y optimizar el diseño.
Hasta ahora, el proceso Through Silicon Via (TSV) era necesario para los módulos DRAM DDR5 de 128 GB fabricados con 16 GB de RAM. Sin embargo, al utilizar la DRAM de 32 GB de Samsung, el módulo de 128 GB ahora se puede producir sin el proceso TSV, lo que ahorra aproximadamente un 10% en el consumo de energía en comparación con la misma cantidad con una DRAM de 16 GB. El producto es la mejor opción para las empresas que priorizan la eficiencia energética, como los centros de datos, gracias a este avance tecnológico.
Samsung tiene la intención de seguir ampliando su gama de DRAM de alta capacidad para satisfacer las demandas actuales y futuras de la industria informática y de TI, empezando por su DDR5 de 32 Gb de 12 nm. Samsung reafirmará su posición como líder del mercado en el sector de las DRAM de próxima generación proporcionando a los centros de datos la DRAM de 12 nm y 32 GB, así como a los clientes que la necesiten para aplicaciones como la inteligencia artificial y la informática de vanguardia. Además, el producto será crucial para las asociaciones continuas de Samsung con otros actores importantes de la industria.
A finales de este año, se espera que comience la producción en masa de la nueva DRAM DDR5 de 32 Gb de 12 nm.
